氮化鎵（GaN）作為新型的寬禁帶第三代化合物半導體，代表著功率和微波等領域的未來發展趨勢，其具有高擊穿電場、高飽和流子速度等優勢，在應用層面上，可以提高頻率、減少體積、降低功率等。

作為第三代半導體材料的代表之一，GaN本身在性能特性上是一種部分替代性及革命性的材料和器件，該業務最早發端于航空電子業務的需求但目前已遠不止于該領域的需求，如5G通訊、云計算、數據中心、新型電源等，公司目前在GaN材料及器件方面發及產業化的進展比我們最初布局時的設想還是快了許多，外延材料已經交付樣片給行業知名廠商，部分功率器件已方案定型，當然畢竟作為一種新技術、新產品，它的成熟還是需要一定的周期，從業績貢獻方面，當前時點不好預測，但建議大家還是持保守、謹慎態度來看待。

對于功率器件市場，氮化鎵的發展速度很快，主要增長點來自于大量的消費和工業應用，優勢在于氮化鎵的不可替代性。以手機充電器為例，現在各手機廠商在推快充，手機要求的充電速度越快，對功率的要求就越高，如果對器件不做變革的話，則輸出功率越大，充電器的體積和成本也會線性提高。

但消費者和手機制造商的需求有兩個方面，既要充電速度，又要控制體積和成本。從充電器技術的發展歷程看，其他方面可壓縮改進的空間有限，只能從最核心的功率器件著手，這是個很好的切入點，即將面對的也是巨大的市場，中國一年就有幾億部的手機出貨量，一部手機至少一個充電器。在工業級方面的應用也一樣，目前通訊基站已經開始應用氮化鎵做電源，以支持包絡跟蹤的工作方式。

對于微波器件市場，同樣的邏輯也正在發生，并且微波器件早已經有了相對成熟的市場，比如特種領域的相控陣雷達，國內目前的年產量不小，比如通訊基站，目前4G基站中已經有20-30%的功放器件是應用了氮化鎵，而隨著5G時代的到來，大部分的基站功放器件都會更新成氮化鎵，新的產業應用已經帶來清晰的技術更迭趨勢，氮化鎵的適用前景極為廣闊。

GaN起步相對較晚，2005年后氮化鎵才應用在微波或功率器件，所以從這個角度來講，氮化鎵是我國與國際半導體差距最小的分支，我國在氮化鎵的起步并不晚，尤其是在LED、雷達方面國家近年來大力扶持，因此這塊比較具有領先地位，在微波和功率器件方面，近幾年除了國家政策的支持外，有很多國內企業向此進軍。